插件電阻器和場效應晶體管有哪些不同

來源：萬利隆電子人氣：發(fā)布時間：2021-01-06

場效應晶體管或通常被稱為場效應晶體管，其功能與雙相晶體管幾乎相同，但是和插件電阻器有很多不同。盡管如此，晶體管和雙相晶體管之間有一些基本的區(qū)別。這兩種晶體管的主要區(qū)別是雙相晶體管輸出(IC)是由輸入電流(IB)控制的。而在產(chǎn)出電流(ID)中，則由輸入電壓(VGS)控制，因為輸入電流是零。所以場效應晶體管的輸入電阻是巨大的，在幾十兆兆hm的命令下。此外，晶體管在溫度和構(gòu)造上更穩(wěn)定，比雙相晶體管更容易生產(chǎn)，因此對統(tǒng)一電路生產(chǎn)非常有用。場效應晶體管只作用于大多數(shù)攜帶者流，所以場效應晶體管傾向于產(chǎn)生比雙相晶體管更小的聲音。

場效應晶體管與插件電阻器相比，場效應晶體管有幾個優(yōu)點:阻力很大,大約是~ 106輸入中為J場效應晶體管Ω場效應晶體管(樞紐)和108 ~ΩMOS場效應晶體管的場效應晶體管負重點很小，因為場效應晶體管的載重器沒有通過p-n連接。密度是如此之高，以至于可以形成密度更大的電路溫度更穩(wěn)定。晶體管缺陷盡管與BJT相比，場效應晶體管不足:切換速度是慢的無法處理這么大的權(quán)力，盡管現(xiàn)有的場效應晶體管可以為這么大的權(quán)力工作。

場效應晶體管的物理構(gòu)造和構(gòu)造如下:場效應晶體管有三個終端，parasource是一個終端，大多數(shù)貨物通過運河進入運河提供流量。下水道是離開運河的端子。伽特是控制源代碼和Drain之間電導的電極。在下水道終端上輸入信號。而子塊通常與源連接。子策略中的材料通常是中性的或輕微的didope。門站通常會接收信號。在整個輸入序列中，終端門和運河的行為就像一個平行的電容器，運河的導電性可以通過門戶對源代碼的張力來改變。對于kanal-n，門上的正電壓會使運河上的負電荷產(chǎn)生負的電荷，從而使電子從源代碼流向Drain。

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