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超低溫漂薄膜電阻生產(chǎn)，電阻生產(chǎn)需要那些流程

文章來(lái)源：萬(wàn)利隆電子閱讀次數(shù)：發(fā)布時(shí)間：2019-05-27

薄膜電阻低電阻溫度系數(shù)生產(chǎn)工藝是目前常用設(shè)計(jì)方式，薄膜電阻這種生產(chǎn)結(jié)構(gòu)包括氧化鋁陶瓷基底，TaN電阻材料層與Ni70Cr30金屬電阻材料層，Cu/Ni/Au電極層，以及SiO2保護(hù)層。TaN電阻材料層設(shè)于氧化鋁陶瓷基底與Ni70Cr30金屬電阻材料層之間；Ni70Cr30金屬電阻材料層上表層設(shè)有Cu/Ni/Au電極層以及非Cu/Ni/Au電極層區(qū)域的SiO2保護(hù)層。薄膜電阻超低電阻溫度系數(shù)生產(chǎn)方法包括以下步驟：

1、薄膜電阻選用尺寸為50.8mm×50.8mm×0.254mm，純度為99.6％的氧化鋁陶瓷基片，清洗干凈后，通過(guò)磁控濺射的方法，依次沉積好具有負(fù)電阻溫度系數(shù)的TaN電阻材料層與具有正電阻溫度系數(shù)的Ni70Cr30金屬電阻材料層和Cu/Ni/Au金屬電極層；
2、將生產(chǎn)制得薄膜電阻放入200℃烘箱，熱處理6h；
3、另外薄膜電阻通過(guò)光刻和濕法腐蝕的方法，制作出金屬電極區(qū)域圖形；
4、通過(guò)光刻和離子刻蝕生產(chǎn)薄膜電阻金屬電極方法，將Ni70Cr30金屬材料層制作出電阻線條圖案；
5、所得到的基片裝入夾具，測(cè)得薄膜電阻的溫度系數(shù)為5.7～10.4ppm/℃；
6、在通過(guò)離子刻蝕和激光調(diào)阻的方法，減小Ni70Cr30金屬電阻材料層的面積，測(cè)試溫度系數(shù)為3.2～6.8ppm/℃；
7、利用PECVD在該基板正面沉積SiO2保護(hù)層，通過(guò)光刻的方法，露出Cu/Ni/Au金屬電極層區(qū)域。

此外薄膜電阻當(dāng)制備溫度系數(shù)為負(fù)值的薄膜電阻時(shí)，它的生產(chǎn)方法具體如下：

1、在清洗干凈的玻璃或者陶瓷基底上，依次沉積負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層和金屬電極層；
2、將該薄膜電阻進(jìn)行熱處理，然后制作出金屬電極區(qū)域圖形；
3、將正電阻溫度系數(shù)材料層制作出需要的線條圖案；
4、減小負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層面積或者同時(shí)減小正電阻溫度系數(shù)材料層和負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層的面積，得到電阻溫度系數(shù)≤±10ppm/℃的低溫度系數(shù)的薄膜電阻；
5、在金屬電極區(qū)域以外的區(qū)域涂覆鈍化保護(hù)層。

另外薄膜電阻生產(chǎn)當(dāng)制備溫度系數(shù)為正值的薄膜電阻時(shí)，它的生產(chǎn)流程又有不同，具體如下：

1、在清洗干凈的玻璃或者陶瓷基底上，依次沉積負(fù)電阻溫度系數(shù)材料層、正電阻溫度系數(shù)材料層和金屬電極層；
2、將該薄膜電阻進(jìn)行熱處理，然后制作出金屬電極區(qū)域圖形；
3、將具有正電阻溫度系數(shù)的材料層制作出需要的線條圖案；
4、減小具有正電阻溫度系數(shù)的材料層面積或者同時(shí)減小具有正電阻溫度系數(shù)的材料層和負(fù)電阻溫度系數(shù)的材料層的面積，得到電阻溫度系數(shù)≤±10ppm/℃的低溫度系數(shù)的薄膜電阻；
5、在金屬電極區(qū)域以外的區(qū)域涂覆鈍化保護(hù)層。

通過(guò)以上方法生產(chǎn)的薄膜電阻器，在低溫漂設(shè)計(jì)中可以有些的保證薄膜電阻的穩(wěn)定性能，在很多電阻廠家選擇生產(chǎn)工藝的時(shí)候都會(huì)精細(xì)考察市場(chǎng)情況，目前這種薄膜電阻生產(chǎn)工藝技術(shù)非常優(yōu)越，在很多高端薄膜電阻廠家都已經(jīng)進(jìn)行布局生產(chǎn)，而且這種低溫漂系數(shù)的薄膜電阻深受市場(chǎng)的認(rèn)可，具有非常大的電阻市場(chǎng)前景。

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